快科技2月26日新闻，美光发布，基于最新1γ纳米工艺的DDR5 DRAM内存芯片曾经投产，机能、能效、密度等各项指标都年夜幅晋升。DRAM内存行业的节点工艺始终不标注详细数值，而是1a、1b、1c、1α、1β、1γ如许的迭代次序，越来越进步，此中1a比拟濒临20nm，1γ则濒临10nm。这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不外美光此次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技巧，估计全新的BEOL后端工序。不外美光不流露应用了几多EUV光刻层，猜想现在只是在要害层上用EUV，不然就得多重曝光，增添时光跟本钱。美光的1γ DDR5单颗容量为16Gb(2GB)，能够轻松构成单条容量128GB的企业级产物，号称容量密度比1β的再次增添30％，现实上之前每代晋升工艺都能增添30％的密度。它只要要1.1V的尺度电压，就能到达9200MHz(严厉来说是9200MT/s)的超高频率，而现在市道上罕见的高频内存每每得1.35V乃至1.45V的高电压。更低的电压岂但更保险，还能节俭功耗，号称比1β工艺的最多下降20％。现在，美光1γ DDR5内存只在日本工场出产，后续会逐渐扩展产能，相干产物估计往年年中阁下上市。将来，美光在中国台湾的工场也会引入EVU，并应用1γ工艺制作GDDR7显存、LPDDR 5X高频内存(最高9600MHz)。【本文停止】如需转载请务必注明出处：快科技义务编纂：上方文Q