IT之家 12 月 27 日新闻，比利时 imec 微电子研讨核心表现，在本月 7~11 日于美国举办的 IEEE IEDM 2024 国际电子器件集会上，该机构展现了基于 NbTiN（氮化钛铌）超导资料的三类超导数字电源要害模块：互联（电线跟通孔）、约瑟夫森结跟 MIM 电容器。imec 表现其展现的技巧存在可扩大性，与尺度 300mm（IT之家注：即 12 英寸）CMOS 制作技巧兼容，这些超导构造还能蒙受传统 BEOL 后端工艺中的 420℃ 加工温度。而在参数表示上，imec 的第一代超导数字电路较基于惯例 7nm CMOS 的体系能效进步了 100 倍、机能晋升了 10~100 倍。▲ 超导电路构造，图源 imecimec 声称其 NbTiN 互联、约瑟夫森结、MIM 电容器均满意了所假想体系的工艺标准：imec 在 NbTiN 超导互联上采取半年夜马士革集成工艺构建双金属级计划，实现了低至 50nm 的导线跟通孔临界尺寸，领有高于 13K 的临界温度跟年夜于 120 mA/μm2 的临界电流密度；而在约瑟夫森结局部，其经由过程夹在两个超导 NbTiN 层之间的 aSi 非晶态硅实现了年夜于 2.5 mA/μm2 的临界电流密度；imec 还展现了应用 NbTiN 电极、基于 HZO（Hf0.5Zr0.5O2）资料的可调谐电容器，该电容用具有约 8 fF/μm2 的高电容密度。告白申明：文内含有的对外跳转链接（包含不限于超链接、二维码、口令等情势），用于通报更多信息，节俭甄选时光，成果仅供参考，IT之家全部文章均包括本申明。 ]article_adlist--> 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->